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DInGaAs系列常温型铟镓砷探测器

使用范围:0.8-1.7μm/2.6μm

 
 
 
 
 
 
 
 
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产品概述

常温型铟镓砷探测器(常温型InGaAs探测器)

●  DInGaAs1650型内装国产InGaAs元件
●  DInGaAs1700-R03M型内装进口InGaAs元件
●  DInGaAs2600-R03M型内装进口大面积InGaAs元件


光谱响应度曲线参考图

常温型铟镓砷探测器型号列表及主要技术指标:
  型号/参数 DInGaAs1650 DInGaAs1700-R03M DInGaAs2600-R03M
光敏面直径(mm) 3 3 3
波长范围(nm) 800-1700 800-1700 800-2600
峰值响应度(A/W, *小) 0.85 0.9 1.1
暗电流(nA, *大) 200 100 1mA
D*(典型值) - 2.3×10^12 4.1×10^10
NEP(典型值) - 1.2×10^-13 6.5×10^-12
阻抗(MΩ) 1 1.5 320Ω
电容(pF) 1500 800 9000
响应时间(ns) 160 100 1μs
信号输出模式 电流 电流 电流
输出信号极性 正(P) 正(P) 正(P)