日盲光电探测器对波长在220-280 nm范围内的光敏感，在军事和商业领域都有着广泛的应用，例如光学追踪、光通信和成像。得益于优越的材料和电学特性，包括良好的热学和化学稳定性、优异的抗辐照性能以及直接对应日盲区域的光探测波长，宽禁带半导体材料具备更显著的优势。在过去的几年里，由于Ga2O3相关材料的优异的抗辐照特性、良好的热稳定性以及4.7-5.3 eV直接对应于日盲波段的超宽禁带宽度，已经引起了广泛的关注。目前，几乎所有关于Ga2O3 PDs的研究都是基于a-或β-Ga2O3材料，然而，探测器的光电性能不尽如人意，并且增益机制尚未分析确定。因此，ε-Ga2O3的材料和光电特性有待进一步研究。

Ga2O3有着4.7-5.2eV的宽禁带，本质上适合日盲光电探测器。Ga2O3有五种同构异形体，单斜β-Ga2O3薄膜因其高温度稳定性已经有了大量的研究。其他相，特别是α-、γ-、δ-和ε-Ga2O3很少被研究。最近由于ε-Ga2O3其有高度对称的六面体结构，有可能将氮化物和ε-Ga2O3结合起来，形成致力于光电应用的III-氧化物/III-氮化物异质结器件结构，因此而广受科研工作者关注。

近中红外光广泛应用于光纤通信、医疗、遥感探测、说环境监控等应用领域，高效、稳定、紧凑的近中红外光光源是这些应用得以实施的基础。

Cu(In,Ga)Se2（CIGS）是I-III-VI组化合物半导体材料，具备黄铜矿晶体结构，以它为吸收层的太阳能电池为CIGS薄膜太阳能电池，具备光电转换效率高、电池稳定性好、抗辐照能力强、弱光性好等优势。液相法制备CIGS电池实现了17.3%转换效率，虽然与真空法的23.35%相比仍有一定的差距，但由于液相法制备薄膜具有成本低、原料利用率高、可以实现卷对卷制备等优点，仍具有巨大的潜在发展优势。

硫属薄膜太阳能电池因其低成本、带隙可调和高输出性能而进入了一个蓬勃发展的时期，元素含量丰富的锌黄锡矿Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)是将CIGS中稀有贵金属In和Ga用元素Zn和Sn替换，不仅与CIGS有着相似的结构和光电学性能，也具备独特优点，如储量丰富、价格低廉、无毒害等。