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近期，安徽大学李亮课题组通过化学气相沉积技术生长了高度各向异性的二维PdSe2晶体，基于光电热效应制备了基于零偏压驱动的二维偏振光电探测器，可实现在零偏压下探测超宽范围波长甚至是任意波长，该探测器具有超宽范围响应、空气稳定，偏振光响应， 响应度高等优势。需要指出的是，通过引入热载流子辅助导热打破了传统热探测器响应速度慢的限制，实现了超快光热电响应（4 µs），是目前已知的基于PdSe2光电探测器中响应速度最快的，这可能为发展超快超宽偏振光探测提供一定的实验基础。
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近年来，柔性表面增强拉曼(SERS)基底受到极大关注，尤其面对表面污染残留物的检测，可直接擦拭检测，且无损或极小损伤。目前常用的有纸基、玻璃纤维、棉织布等，制备方法主要是将贵金属纳米粒子组装在柔性基质表面。然而由于贵金属粒子裸露在表面，缺乏必要的保护，擦拭检测后贵金属粒子易受到损害，仅一次性使用，难于重复使用，难于满足一些特殊的、恶劣环境（如抗超声破坏、强酸碱介质、高温低温环境）的应用需求。
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众所周知，阻碍光伏器件性能提升的一个重要因素是低于光伏材料带隙的低能红外光子无法被充分利用。对于硅而言，大于1100 nm的太阳光不能被吸收，而这部分占据太阳光光谱能量的20%；对于带隙更大的钙钛矿而言，不能被利用的太阳光显著增多。因此，若能够充分吸收这些低能红外光子并实现高效转换，将可在现有基础上显著提升对太阳能的利用率。为此，窄带隙红外光伏材料被视为实现低能红外光子利用的关键所在。
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与单晶或多晶Ga2O3相比，非晶Ga2O3材料具有明显的成本优势。本研究开发出了一种具有超高性能和栅极可调光检测能力的非晶Ga2O3日盲场效应光电晶体管，并对其光电性能进行了全面调研。射频磁控溅射用于在经济的Si/SiO2衬底上沉积非晶GaOx薄膜。通过施加适当的背栅电压（VG），可以很好地控制场效应光电晶体管的光电性能和暗电流。制成的日盲型GaOx薄膜场效应光电晶体管具有出色的深紫外光光电探测特性，包括4.1×103 AW-1的超高光敏性，2.5×1013 Jones的高探测率，以及极高的外量子效率。在70 µW cm-2的254 nm的弱光照下，外量子效率为2×106％，光电导增益为1.6×107。还揭示了光检测特性取决于偏置电压和光强度。另外，成功地展示了GaOx光电晶体管作为感测像素的日盲成像功能。获得了目标的清晰图像，这是有关非晶GaOx 探测器日盲成像的第一次报道。这些结果，加上其易于制造和低成本，使得该日盲非晶GaOx薄膜场效应光电晶体管有望用于下一代光电成像应用。
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由于可以广泛用于光学成像，空间光通信，导弹制导和定位导航等领域，作为现代光电设备中关键组件的光电探测器（PD）近年来已引起越来越多的研究兴趣。目前，商用光电探测器主要基于Si光电二极管，是因为它的低成本和与高度成熟的硅工艺带来的高度兼容性。在280 nm以下的波长下工作的深紫外光电探测器（深紫外光PD）尚未十分成熟，它们是近年来在火焰探测，导弹预警系统，机密空间通信，深紫外线成像机方面具有潜在应用的研究热点。能隙为4.7-4.9 eV的Ga2O3材料，由于其高辐射耐受性，高热稳定性和化学稳定性以及在深紫外区域的强吸收性，是未来有发展前景的深紫外光PD的候选项。
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