APPLICATION
从上世纪90年代初开始,世界范围内掀起了研究高亮度LED的热潮,以它为基础的固体照明正在迅猛发展。因为高亮度LED采用双异质结构,要求材料具有良好的晶格匹配,这个要求对用于异质结LED的材料体系提出了严格的限制。 Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,拥有优良的光电性质,化学性质非常稳定,可在⾼高温、酸碱、辐射环境下使⽤用,并且禁带宽度大,因此在大功率的电子器件方面颇具吸引力,已引起了国内外众多研究者的兴趣。人们感兴趣的Ⅲ-Ⅴ族氮化物是AIN、GaN、InN及其合金,通过控制它们各自的组份,其禁带宽度可从InN的0.7eV到GaN的3.4eV直到AlN的6.2eV连续变化,覆盖了整个可见光区,并扩展到紫外范围,适合制备高亮度LED。
氧化亚铜为一价铜的氧化物，是鲜红色粉末状固体，几乎不溶于水，在酸性溶液中化为二价铜。它是一种重要的P型半导体材料，禁带宽度仅为2.1eV，光电转换效率可达到18%。1998年氧化亚铜被发现可作为催化剂在阳光下将水分解成氢气和氧气，证明是一种极具前景的光催化氧化材料。现今，随着纳米材料的发展，不仅已经制备各种尺寸及形貌的氧化亚铜微纳米结构，还提出了多种形貌控制理论，如量子点、纳米线、纳米片、纳米球、多面体、空心结构等。纳米级的Cu2O还具有独特的光学和磁学性质，在光电转换、工业催化和气体传感器等方面也得到了广泛的应用。
13810146393
在线咨询
