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与单晶或多晶Ga2O3相比，非晶Ga2O3材料具有明显的成本优势。本研究开发出了一种具有超高性能和栅极可调光检测能力的非晶Ga2O3日盲场效应光电晶体管，并对其光电性能进行了全面调研。射频磁控溅射用于在经济的Si/SiO2衬底上沉积非晶GaOx薄膜。通过施加适当的背栅电压（VG），可以很好地控制场效应光电晶体管的光电性能和暗电流。制成的日盲型GaOx薄膜场效应光电晶体管具有出色的深紫外光光电探测特性，包括4.1×103 AW-1的超高光敏性，2.5×1013 Jones的高探测率，以及极高的外量子效率。在70 µW cm-2的254 nm的弱光照下，外量子效率为2×106％，光电导增益为1.6×107。还揭示了光检测特性取决于偏置电压和光强度。另外，成功地展示了GaOx光电晶体管作为感测像素的日盲成像功能。获得了目标的清晰图像，这是有关非晶GaOx 探测器日盲成像的第一次报道。这些结果，加上其易于制造和低成本，使得该日盲非晶GaOx薄膜场效应光电晶体管有望用于下一代光电成像应用。
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由于可以广泛用于光学成像，空间光通信，导弹制导和定位导航等领域，作为现代光电设备中关键组件的光电探测器（PD）近年来已引起越来越多的研究兴趣。目前，商用光电探测器主要基于Si光电二极管，是因为它的低成本和与高度成熟的硅工艺带来的高度兼容性。在280 nm以下的波长下工作的深紫外光电探测器（深紫外光PD）尚未十分成熟，它们是近年来在火焰探测，导弹预警系统，机密空间通信，深紫外线成像机方面具有潜在应用的研究热点。能隙为4.7-4.9 eV的Ga2O3材料，由于其高辐射耐受性，高热稳定性和化学稳定性以及在深紫外区域的强吸收性，是未来有发展前景的深紫外光PD的候选项。
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日盲光电探测器对波长在220-280 nm范围内的光敏感，在军事和商业领域都有着广泛的应用，例如光学追踪、光通信和成像。得益于优越的材料和电学特性，包括良好的热学和化学稳定性、优异的抗辐照性能以及直接对应日盲区域的光探测波长，宽禁带半导体材料具备更显著的优势。在过去的几年里，由于Ga2O3相关材料的优异的抗辐照特性、良好的热稳定性以及4.7-5.3 eV直接对应于日盲波段的超宽禁带宽度，已经引起了广泛的关注。目前，几乎所有关于Ga2O3 PDs的研究都是基于a-或β-Ga2O3材料，然而，探测器的光电性能不尽如人意，并且增益机制尚未分析确定。因此，ε-Ga2O3的材料和光电特性有待进一步研究。
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Ga2O3有着4.7-5.2eV的宽禁带，本质上适合日盲光电探测器。Ga2O3有五种同构异形体，单斜β-Ga2O3薄膜因其高温度稳定性已经有了大量的研究。其他相，特别是α-、γ-、δ-和ε-Ga2O3很少被研究。最近由于ε-Ga2O3其有高度对称的六面体结构，有可能将氮化物和ε-Ga2O3结合起来，形成致力于光电应用的III-氧化物/III-氮化物异质结器件结构，因此而广受科研工作者关注。
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近中红外光广泛应用于光纤通信、医疗、遥感探测、说环境监控等应用领域，高效、稳定、紧凑的近中红外光光源是这些应用得以实施的基础。
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