APPLICATION
光致发光光谱定义为当一束光子能量足够高（大于半导体材料的禁带宽度Eg）的激光入射到半导体材料上，会将价带的电子激发到导带，从而在该材料中产生大量的电子空穴对，形成非平衡载流子。这些非平衡载流子随即通过各种散射过程快速弛豫到相应能带的底部，最后发生复合产生荧光。采集该复合发光的光谱即称为光致发光光谱。
1、稀土上转换发光的概念；2、稀土上转换发光的原理；3、稀土上转换发光的应用；4、稀土上转换发光相关光电产品；5、几个容易混淆的“上转换”概念；
氧 (氮)化物荧光粉材料以其高发光效率、可被可见光有效激发、稳定性高和环境友好等诸多优点，在固体发光领域受到广泛重视。其中，稀土掺杂的荧光粉由于表现出较高的发光强度、较高的量子效率和优异的热稳定性，具有较好的应用前景。铕(Eu)元素在化合物中存在Eu2+和Eu3+两种价态。Eu2+发射峰位易受晶体场影响的，即基体或者参杂材料的改变(浓度、元素等)，发射峰的强度会发生变化，发射中心会发生红移或者蓝移；Eu3+的发射峰是由其自身决定的，比较尖锐、峰位不受晶体场的影响。
闪烁晶体到底是什么？可能很多人都没听过这个词，但其实，在我们的日常生活中并不陌生。闪烁体是一种当被电离辐射激发之后会表现出发光特性的材料，是将高能转换为可见光的一种典型光电转换材料，可用于辐射探测和安全防护，通常在应用中将其加工成晶体，称为闪烁晶体。
半导体器件和电路制造技术飞速发展，器件特征尺寸不断下降，而集成度不断上升。这两方面的变化都给失效缺陷定位和失效机理的分析带来巨大的挑战。对于半导体失效分析(FA)而言，微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)是一种相当有用且效率极高的分析工具。微光显微镜其高灵敏度的侦测能力，可侦测到半导体组件中电子－电洞对再结合时所发射出来的光线，能侦测到的波长约在350nm ~ 1100nm 左右。 它可以广泛的应用于侦测IC 中各种组件缺陷所产生的漏电流，如： Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage等。EMMI的工作原理图如下:
13810146393
在线咨询
