二维巡游铁磁体磁性调控新思路
二维巡游铁磁体磁性调控新思路
二维磁性材料因具有易调控、方便集成的优点在自旋电子学领域具有重要应用前景。为了提高二维铁磁性体的居里温度和高温稳定性，通常采用构造异质结的手段来增强其磁性。然而，异质结对材料表面的占用限制了其在复杂电子学器件中的应用。为解决这一问题，本工作通过深入研究二维巡游铁磁体（Fe3GeTe2）及其异质结的面内及面间磁相互作用规律，提出了一种“局部调控整体”的器件设计思想，为未来器件结构设计提供了一种新的方案。
二维巡游铁磁体Fe3GeTe2因具有较高的居里温度、强的磁晶各项异性及内禀铁磁性，在自旋阀、自旋轨道矩、斯格明子等领域具有重要应用前景。为了在提高二维Fe3GeTe2晶体居里温度和铁磁稳定性的同时释放异质结对材料表面的占用，本工作系统研究了反铁磁/铁磁异质结对异质结区域和非异质结区域的铁磁增强特性。结果表明，当Fe3GeTe2处于单畴态时，仅在2%的Fe3GeTe2表面上构造异质结即可显著增强全部Fe3GeTe2区域的铁磁性，当不同厚度Fe3GeTe2相互耦合时，各个厚度区域的样品均具有相同的矫顽场。
二维反铁磁体MPX3（M=Fe，Mn; X= S, Se）对Fe3GeTe2的铁磁调控作用
通过形成多重界面对Fe3GeTe2进行非局部磁性调控
电流对Fe3GeTe2进行非局部磁性调控作者简介
戴宏伟，华中科技大学电气硕士，光学博士。目前就职于湖北众韦光电科技有限公司，在微区成像、共聚焦PL/Raman、荧光寿命、微区磁光克尔等系统设计和应用上具有丰富的经验，在国际期刊《ACS NANO》 、《ACS Applied Materials & Interfaces》、《Advanced Electronic Materials》等期刊发表多篇论文。
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