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本工作通过在p-GaN/n-Ga2O3外延层上制备了具有指状n-Ga2O3层和叉指电极的PN-PDs，证明了此结构可显著增强器件性能，并深入分析了此结构的内在增强机制。这项工作不仅提出了一种高性能的PD，而且还研究了基于氧化镓的PN-PD的关键参数的设计，为探索高性能的氧化镓基PD提供了新思路。
光电器件的光生电荷产生与抽取是一个超快过程，因此光电器件的时间分辨表征能够直接获取器件中光生电荷的时间响应特性，为分析光生电荷微观过程、光电转化效率的提高提供实验指导。本文介绍了卓立汉光基于稳态光电测试开发的瞬态光电测试系统，为钙钛矿太阳能电池的测试提供多方位测量方法，满足不同光电器件的瞬态测试需求
客户论文
光电材料（太阳能电池）光谱响应测试，或称量子效率QE（Quantum Efficiency）测试，或光电转化效率IPCE (Monochromatic Incident Photon-to-Electron Conversion Efficiency) 测试等，广义来说，就是测量光电材料的光电特性在不同波长光照条件下的数值，所谓光电特性包括：光生电流、光导等。本系统可对小面积探测器或者太阳能电池进行光谱响应，外量子效率等参数进行测试。同时也能测量探测器或者太阳能电池响应不均匀性。本装置还可以测量太阳能电池的表面镜反射比，并计算太阳能电池的内量子效率。
客户论文
与单晶或多晶Ga2O3相比，非晶Ga2O3材料具有明显的成本优势。本研究开发出了一种具有超高性能和栅极可调光检测能力的非晶Ga2O3日盲场效应光电晶体管，并对其光电性能进行了全面调研。射频磁控溅射用于在经济的Si/SiO2衬底上沉积非晶GaOx薄膜。通过施加适当的背栅电压（VG），可以很好地控制场效应光电晶体管的光电性能和暗电流。制成的日盲型GaOx薄膜场效应光电晶体管具有出色的深紫外光光电探测特性，包括4.1×103 AW-1的超高光敏性，2.5×1013 Jones的高探测率，以及极高的外量子效率。在70 µW cm-2的254 nm的弱光照下，外量子效率为2×106％，光电导增益为1.6×107。还揭示了光检测特性取决于偏置电压和光强度。另外，成功地展示了GaOx光电晶体管作为感测像素的日盲成像功能。获得了目标的清晰图像，这是有关非晶GaOx 探测器日盲成像的第一次报道。这些结果，加上其易于制造和低成本，使得该日盲非晶GaOx薄膜场效应光电晶体管有望用于下一代光电成像应用。
客户论文
由于可以广泛用于光学成像，空间光通信，导弹制导和定位导航等领域，作为现代光电设备中关键组件的光电探测器（PD）近年来已引起越来越多的研究兴趣。目前，商用光电探测器主要基于Si光电二极管，是因为它的低成本和与高度成熟的硅工艺带来的高度兼容性。在280 nm以下的波长下工作的深紫外光电探测器（深紫外光PD）尚未十分成熟，它们是近年来在火焰探测，导弹预警系统，机密空间通信，深紫外线成像机方面具有潜在应用的研究热点。能隙为4.7-4.9 eV的Ga2O3材料，由于其高辐射耐受性，高热稳定性和化学稳定性以及在深紫外区域的强吸收性，是未来有发展前景的深紫外光PD的候选项。
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